保護IGBT的續流二極管的開關特性也受柵極電阻的影響，FZ2400R17KF6C-B2并限制柵極阻抗的*小值。這意味著IGBT的導通開關速度只能提高到一個與所用續流二極管反向恢復特性相兼容的水平。柵極電阻的減小不僅增大了IGBT的過電壓應力，而且由于IGBT模塊中diC/dt的增大，也增大了續流二極管的過壓極限。通過使用特殊設計和優化的帶軟恢復功能的CAL(可控軸向壽命)二極管，使得反向峰值電流小，從而使橋路中IGBT的導通電流小。
柵極驅動電路的驅動器輸出級是一種典型的設計，采用了兩個按圖騰柱形式配置的MOSFET，如圖3所示。兩個MOSFET的柵極由相同的信號驅動。當信號為高電平時，N通道MOSFET導通，當信號為低電平時，P通道MOSFET導通，從而產生一個兩晶體管推挽輸出配置。MOSFET的輸出級可有一路或兩路輸出。根據輸出級有一路還是兩路輸出，可實現具有一個或兩個柵極電阻(導通，關斷)的用于對稱或不對稱柵極控制的解決方案。
柵極電阻的計算
對于低開關損耗，無FZ2400R17KF6C-B2模塊振蕩，低二極管反向恢復峰值電流和*大dv/dt限制，柵極電阻必須體現出*佳的開關特性。通常在應用中，額定電流大的IGBT模塊將采用較小的柵極電阻驅動;同樣的，額定電流小的IGBT模塊，將需要較大的柵極電阻。也就是說，IGBT數據手冊中所給的電阻值必須為每個設計而優化。IGBT數據手冊中指定了柵極電阻值。然而，**的柵極電阻值一般介于IGBT數據表中所列的值和其兩倍之間。IGBT數據表中所指定的值是*小值;在指定條件下，兩倍于額定電流可被**地關斷。在實際中，由于測試電路和各個應用參數的差異，IGBT數據表中的柵極電阻值往往不一定是*佳值。上面提到的大概的電阻值(即兩倍的數據表值)，FZ2400R17KF6C-B2可被作為優化的起點，以相應地減少柵級電阻值。確定*終**值的**途徑是測試和衡量*終系統。使應用中的寄生電感*小很重要。這對于保持IGBT的關斷過電壓在數據表的指定范圍內是必要的，特別是在短路情況下。柵極電阻決定柵極峰值電流IGM。增大柵極峰值電流將減少導通和關斷時間以及開關損耗。柵級峰值電流的*大值和柵級電阻的*小值分別由驅動器輸出級的性能決定。
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