一、芯片可靠性測試比常見的幾種試驗：

加速測試：在半導體器件中，常見的一些加速因子為溫度、濕度、電壓和電流。在大多數情況下，加速測試不改變故障的物理特性，但會改變觀察時間。加速條件和正常使用條件之間的變化稱為“降額”。高加速測試是基于 JEDEC 的資質認證測試的關鍵部分。

溫度循環(huán)：根據 JED22-A104 標準，溫度循環(huán) (TC) 讓部件經受極端高溫和低溫之間的轉換。進行該測試時，將部件反復暴露于這些條件下經過預定的循環(huán)次數。

高溫工作壽命HTOL：HTOL 用于確定高溫工作條件下的器件可靠性。該測試通常根據 JESD22-A108 標準長時間進行。

溫濕度偏壓高加速應力測試BHAST：根據 JESD22-A110 標準，THB 和 BHAST 讓器件經受高溫高濕條件，同時處于偏壓之下，其目標是讓器件加速腐蝕。THB 和 BHAST 用途相同，但 BHAST 條件和測試過程讓可靠性團隊的測試速度比 THB 快得多。

熱壓器/無偏壓HAST：熱壓器和無偏壓 HAST 用于確定高溫高濕條件下的器件可靠性。與 THB 和 BHAST 一樣，它用于加速腐蝕。不過，與這些測試不同，不會對部件施加偏壓。

高溫貯存：HTS（也稱為“烘烤”或 HTSL）用于確定器件在高溫下的長期可靠性。與 HTOL 不同，器件在測試期間不處于運行條件下。

靜電放電ESD：靜電荷是靜置時的非平衡電荷。通常情況下，它是由絕緣體表面相互摩擦或分離產生；一個表面獲得電子，而另一個表面失去電子。其結果是稱為靜電荷的不平衡的電氣狀況。

當靜電荷從一個表面移到另一個表面時，它便成為靜電放電 (ESD)，并以微型閃電的形式在兩個表面之間移動。

當靜電荷移動時，就形成了電流，因此可以損害或破壞柵極氧化層、金屬層和結。

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